یک سلول 9SRAM ترانزیستوری کم مصرف باسرعت و پایداری بهبود یافته

توان مصرفی در سلول های SRAM شامل دو مولفه توان نشتی (استاتیک) و توان دینامیکی است که با توجه به حجم زیاد این سلول ها در ریزپردازنده های امروزی، توان نشتی در این سلول ها اهمیت زیادی دارد. پایداری داده و حاشیه نویز استاتیک (SNM) در سلول SRAM ها نیز با توجه به کاهش ولتاژ تغذیه هر روز اهمیت بیشتری پیدا می کند. در کنار توان مصرفی و پایداری داده، تاخیر خواندن و نوشتن سلول های SRAM در بهبود سرعت و کارایی ریزپردازنده ها تاثیر دارد.در این مقاله یک سلول 9 ترانزیستوری جدید پیشنهاد شده است که با استفاده از فقط یک خط بیت جهت خواندن و نوشتن داده ها و هم چنین با جداسازی مسیر خواندن از مسیر نوشتن داده توانسته است همه پارامترهای فوق را بهبود دهد. شبیه سازی های انجام شده نشان می دهد که در مقایسه با سلول 6 ترانزیستوری معمولی و سه نوع سلول 7، 8 و 9 ترانزیستوری که قبلا معرفی شده اند، میزان بهبود توان نشتی 40 الی 53 درصد، میزان بهبود توان دینامیکی 17 الی 49 درصد، و میزان بهبود سرعت نوشتن بین 48 الی 68 درصد است. تاخیر خواندن این سلول با تاخیر خواندن سلول 9 ترانزیستوری قبلی یکسان است ولی بین 33 تا 41 درصد بهتر از تاخیر خواندن سایر سلول ها است.

کلیدواژه ها:

پایداری داده ، تاخیرخواندن و نوشتن ، توان دینامیک ، توان نشتی ، حاشیه نویز استاتیکی (SNM) ، حافظه های استاتیک