بررسی و شبیه سازی ترانزیستورSOI برای بهبود اثرات خودگرمایی
سال انتشار: 1393
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 826
فایل این مقاله در 5 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ELECONFK01_097
تاریخ نمایه سازی: 16 خرداد 1394
چکیده مقاله:
نیاز تکنولوژی دنیای الکترونیک همواره موجب حرکت ماسفتها به سمت استفاده از افزارههایی با طول گیت کوچکتر و سرعت بالاتر گردیده است. اگر چه استفاده از ترانزیستورهای سیلیکون روی عایق (اکسید سیلیکون) راه حلی برای حذف اثرات پارازیتی موجود در افزارههای بدنه سیلیکون بوده اما هدایت گرمایی پایین لایه اکسید مدفون در افزاره های سیلیکون روی عایق، موجب تولید اثر خود گرمایی و افزایش دمای شبکه در این افزارهها به ویژه در افزارههای زیر میکرون میشود.در این مقاله یک ساختار جدید برای ترانزیستورهای سیلیکون روی عایق FD SOI Mosfet به منظور بهبود پارامتر DIBL همچنین بهبود اثر خودگرمایی ارائه شده است. ایده اصلی این ساختار تغییر در ضخامت لایه Box ترانزیستور که به منظور بهبود پارامترDIBL و اثر خودگرمایی می باشد.
کلیدواژه ها:
اثر خودگرمایی DIBL –FD SOI Mosfet
نویسندگان
صمد قلندری
دانشجوی کارشاسی ارشد الکترونیک، دانشگاه آزاد اسلامی واحد کرمانشاه
آرش احمدی
عضو هیات علمی گروه برق الکترونیک، دکترای تخصصی، دانشگاه رازی کرمانشاه
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :