تخمین سریع ولتاژ آستانه MOSFET های دوگیتی بدون پیوند با استفاده از روش متعامدسازی گرام اشمیت
محل انتشار: همایش ملی مهندسی برق، مخابرات و توسعه پایدار
سال انتشار: 1393
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,096
فایل این مقاله در 8 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ELECTRICA01_020
تاریخ نمایه سازی: 11 اردیبهشت 1394
چکیده مقاله:
اثر کاهش ارتفاع سد پتانسیل توسط درین - 1 یا اصطلاحاً DIBL یکی از اثرات کانال کوتاه در خانوادهMOSFET ها می باشد که باعث می شود ولتاژ آستانب ترانزیستور با افزایش ولتاژ درین کاهش یابد. این اثر باعث میشود که دیگر نتوانیم VT رامقداری ثابت درنظر بگیریم و باید متناسب با ولتاژ درین مقدار جدید را برا ی آن محاسبه کنیم ازاین رو برای درنظر گرفتن اثر DIBL در طراحی مدارات مجتمع نیاز داریم بار محاسباتی زیاد ی را متحو ل شویم که این خود با عث کندی زیاد روندشبیه سازی میشود ازاین رو دراین مقاله یک راه حل جبری را براساس روش متعامد سازی گرام اشمیت پیشنهاد داده ایم که ولتاژ استانه نسل جدید MOSFETها یعنی MOSFETهای دوگیتی بدون پیوند OSFET-DG-JL رابادقت بالا وسرعت بسیاربالا محاسبه میکند
کلیدواژه ها:
نویسندگان
محسن عنابستانی
دانشجوی دکتری مهندسی برق، دانشکده مهندسی، دانشگاه فردوسی مشهد
محمد طاهرزاده ثانی
استادیارگروه مهندسی برق، دانشکده مهندسی، دانشگاه فردوسی
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :