یک تقویت کننده ی امپدانس انتقالی CMOS کم مصرف برای گیرنده ی مخابرات نوری 5Gb/S

در این مقاله یک تقویت کننده ی امپدانس انتقالی برای گیرنده های مخابرات نوری ارائه می شود. این تقویت کننده براساس ساختار RGC اصلاح شده می باشد که از نظر توان مصرفی بهینه و از تکنیک inductive peaking نیز برای افزایش پهنای باند استفاده شده است. این مدار در تکنولوژی μm CMOS 0.18 طراحی وتوسط نرم افزار HSPICE شبیه سازی شده است. نتایج شبیه سازی بهره ی 54dBΩ پهنای باند 4.7GHz و توان مصرفی 3.3mW را نشان می دهد که نشان دهنده ی عملکرد مناسب تقویت کننده ی پیشنهادی برای کاربردهای 5Gb/s می باشد. تحلیل مونت- کارلوی به دست آمده نشان می دهد که تغییرات ابعاد ترانزیستورها اثر چندانی بر شاخص های عملکرد مدار مانند بهره و پهنای باند ندارد.

کلیدواژه ها:

امپدانس انتقالی ، پهنای باند ، تقویت کننده ، مخابرات نوری