بررسی مسفت ها برپایه گالیم نیتراد وتحلیل اثر ولتاژ آستانه
سال انتشار: 1393
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 655
فایل این مقاله در 7 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ELEMECHCONF02_371
تاریخ نمایه سازی: 22 مهر 1394
چکیده مقاله:
تکنولوژی نیمه هادی مدرن منجر به تغییرات مناسب قطعات می شود و نقش مهمی را در زندگی روزمره ایفا می کند. قطعات مبتنی بر نیمه هادی های گروه III به ویژه نیمه هادی GaN به دلیل خواص ذاتی ماده، نوید قطعاتی با قدرت بالا، فرکانس بالا و توان مصرفی پایی را می دهد. مهم ترین مشخصه ی اصلی این گروه از نیمه هادی ها، طبیعت شکاف باند عریضشان می باشد. ویژگی مهم دیگر نیتریدهای III-V آن است که آنها میدان های شکست قوی ای دارند. GaN دارای ویژگی انتقال الکترون بسیار خوب، موبیلیتی خوب و سرعت رانش فوق اشباع می باشد. مشخصه ی مهم نیتریدهای III-V در مقایسه با SiC اختراع ساختار نامتجانس است که می تواند حمایت شود.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
احمد رضا رمضانپور
دانشجوی کارشناسی ارشد الکترونیک،دانشگاه آزاد اسلامی واحد فسا، ایران
محسن معصومی
عضو هیئت علمی گروه برق و الکترونیک، دانشگاه آزاد اسلامی واحد جهرم، ایران
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :