بررسی مسفت ها برپایه گالیم نیتراد وتحلیل اثر ولتاژ آستانه

تکنولوژی نیمه هادی مدرن منجر به تغییرات مناسب قطعات می شود و نقش مهمی را در زندگی روزمره ایفا می کند. قطعات مبتنی بر نیمه هادی های گروه III به ویژه نیمه هادی GaN به دلیل خواص ذاتی ماده، نوید قطعاتی با قدرت بالا، فرکانس بالا و توان مصرفی پایی را می دهد. مهم ترین مشخصه ی اصلی این گروه از نیمه هادی ها، طبیعت شکاف باند عریضشان می باشد. ویژگی مهم دیگر نیتریدهای III-V آن است که آنها میدان های شکست قوی ای دارند. GaN دارای ویژگی انتقال الکترون بسیار خوب، موبیلیتی خوب و سرعت رانش فوق اشباع می باشد. مشخصه ی مهم نیتریدهای III-V در مقایسه با SiC اختراع ساختار نامتجانس است که می تواند حمایت شود.

کلیدواژه ها:

مسفت ، گالیم نیتراد ، ولتاژ آستانه ، انرژی باند گپ ، ساختار کریستالی