تاثیر استفاده از اکسیدهای غیر فلزی بر روی بازده سلول های خورشیدی در طول موج0/45 میکرومتر

سال انتشار: 1393
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 517

فایل این مقاله در 13 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

ELEMECHCONF02_444

تاریخ نمایه سازی: 22 مهر 1394

چکیده مقاله:

دراین تحقیق خواص تشعشعی ساختارهای چندلایه ای، شامل زیر لایه سیلیکون آلاینده کم با پوشش های غیر فلزی منواکسید سیلسیم، دی اکسید سیلسیم، بیسموت سیلیکون اکسید و بیسموت ژرمانیوم اکسید بررسی شد. از روش ماتریس انتقال جهت محاسبه خواص تشعشعی ساختارهای چند لایه ای استفاده شد به طوری که ثابت های نوری برای جنس های مختلف از هند بوک پالیک استخراج گردید. این ثابت های نوری بر حسب طول موج در نرم افزاراکسل مرتب شده و در محدوده ی طول موج های مختلف نمودار ضریب شکست(n) و ضریب استهلاک(k) رسم گردید و فرمول آن ها بر حسب طول موج بدست آمد. با استفاده از نرم افزار متلب و اعمال روش ماتریس انتقال ضریب جذب برای ساختارهای چند لایه ای بدست می آید. با مقایسه ضرایب جذب بهترین پوشش برای جذب بالای سلول خورشیدی انتخاب می گردد. زیر لایه سیلیکون در دمای اتاق و بازه طول موج، 0/4 تا 0/84 میکرومتر، دارای ضریب شکست و ضریب استهلاک ناچیز و در نتیجه ضریب گسیل ناچیز است. موج الکترومغناطیس با زاویه 10 درجه، به ساختار چندلایه ای برخورد می کند. طبق بررسی انچام شده در این مقاله نتایج حاکی است که درطول موج 0.45 میکرومتر بیشترین ضریب جذب برابر 0.893 و کمترین ضریب جذب برابر 0.598 است.

نویسندگان

مهدی طالبی علی

دانشجوی کارشناسی ارشد، گروه مهندسی مکانیک پردیس علوم و تحقیقات یزد، دانشگاه آزاد اسلامی یزد، ایران

سید امیر عباس علومی

استادیار، گروه مهندسی مکانیک، واحد یزد، دانشگاه آزاد اسلامی یزد، ایران

سید علی آقا میرجلیلی

استادیار، گروه مهندسی مکانیک، واحد یزد، دانشگاه آزاد اسلامی یرد ،ایران

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • Nitride (Si3N4)" and :Au", Handbook of Optical Siliconه [9] H. ...
  • Makino T. «0Thermal radiation spectroscopy for heat transfer science and ...
  • Oloomi, S.A.A, Sabounchi, A and Sedaghat, A. "Predict Thermal Radiative ...
  • S. A. A. Oloomi, Saboonchi, A and Sedaghat, A. , ...
  • (5), pp. 465-469, (2010). ...
  • P.J. Timans, "the thermal radiative properties of S emiconductors _ ...
  • Z. M. Zhang, C. J. _ and Q. Z. Zhu, ...
  • G. E. Jellison and F. A. Modine., "Optical Functions of ...
  • P. J. Timans., "Emissivity of Silicon at Elevated Temperatures, " ...
  • B. J. Lee and Z. M. Zhang, "Modeling Radiative Properties ...
  • S. A. A. Oloomi, Parametric Stady of Nanoscale Radiative Properties ...
  • نمایش کامل مراجع