خواص تشعشعی ساختار چند لایه ای شامل زیر لایه سیلیکون آلاییده کم

سال انتشار: 1393
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 463

فایل این مقاله در 6 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

ELEMECHCONF02_447

تاریخ نمایه سازی: 22 مهر 1394

چکیده مقاله:

پوشش دهی به صورت چند لایه می تواند به مقدار قابل توجهی سختی را افزایش دهد و با کاهش بیشتر ضخامت لایه ها تا 20 نانومتر، سختی پوشش ها افزایش می یابد، استفاده از لایه های نازک باعث بالا رفتن طول عمر قطعات و بهبود کارایی آن ها می گردد. استفاده از لایه های نازک جهت بالا بردن خواص فیزیکی، مکانیکی و ظاهری امری اجتناب ناپذیر است. دامنه کاربرد لایه های نازک بسیار متنوع بوده و شامل کاربردهای الکترونیکی، اپتیکی، متالورژیکی، تربیولوژیکی، پزشکی و ... می باشد. ازمهم ترین کاربردهای لایه های نازک در ابزار برش، وسایل الکتریکی نیمه رسانا، ابزارهای حافظه و پوشش های نوری، ساخت ترانزیستورهای لایه نازک، GMR و سلول های خورشیدی است. با توجه به نیاز سیستم های فضایی، به ضریب صدور بیشینه جهت کنترل دما و کارایی بالاتر و مناسب تر، می توان با افزایش تعداد لایه های پوشش داده شده، به این مهم دست یافت. تغییرات خواص تشعشعی تابع پیچیده ای از طول موج می باشد که با افزایش تعداد لایه ها براثر پدیده تداخل امواج این پیچیدگی و وابستگی به طول موج بیشتر می گردد. تاثیر افزایش تعداد لایه ها جهت کنترل خواص تشعشعی از تاثیر تغییر ضخامت بیشتر است. به عنوان مثال در یک ضخامت ثابت، می توان با افزایش تعداد لایه ها به ضریب صدور بزرگتری دست یافت.

نویسندگان

رامین صانعی

دانشجوی کارشناسی ارشد، گروه مهندسی مکانیک،واحد شهر مجلسی، دانشگاه آزاد اسلامی واحد یزد ایران

سید امیر عباس علومی

استادیار، گروه مهندسی مکانیک، واحد یزد، دانشگاه آزاد اسلامی یزد، ایران

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • Menguc M, Zhang M. 2007. Special issue on nano/ microscale ...
  • Timans PJ. 2000. Rapid thermal Processing. Handbook of Semiconductor Manufacturing ...
  • Zhang Z M. 2000. Surface temperature measuremet using optical techniques. ...
  • Zhou YH, Shen YJ, Zhang Z M, Tsai B K, ...
  • Tsai BK, DeWitt DP, Early EA, Hanssen LM, Mekhontsev SN, ...
  • Shimazaki, Kazunori, Imaizumi, Mitsuru, Kibe, Koichi. 2008. SiO2 and Al203 ...
  • Zhang ZM, Fu CJ, Zhu QZ. 2003. Optical and thermal ...
  • Yeh P. 1988. Optical waves in layered media, Wiley, New ...
  • Zhang ZM, Hanssen LM, Datla RU. 1996. Po l arization ...
  • Jellison GE, Modine FA. 1994. Optical functions of silicon at ...
  • Li HH. 1980. Refractive index of silicon and germanium and ...
  • نمایش کامل مراجع