معرفی ساختار جدید ترانزیستور اثر میدانی نانولوله کربنی برای کاهش جریان نشتی

در این مقاله ساختار جدیدی از ترانزیستور اثر میدان نانولوله کربنی با گیت دوقلو (TG-CNTFET) برای کاهش نشتی پیشنهاد و شبیه سازی شده است. گیت این ساختار شامل دو بخش، یکی در نزدیکی سورس و دیگری در نزدیکی درین است زیر نواحی گیت ها در کانال ناخالصی نوع p تزریق شده است. برای مطالعه مشخصات افزاره، حل خودسازگار از معادله پواسون- شرودینگر دو بعدی، با فرمول تابع گرین نامتعادل (NEGF) ارائه و شبیه سازی شده است. نتایج شبیه سازی نشان می دهد در مقایسه با ساختار پایه، TG-CNTFET به دلیل کاهش تونل زنی باند به باند، جریان نشتی را کاهش می دهد و نسبت به جریان روشن به خاموش را افزایش می دهد. علاوه بر این، ثابت کرده ایم که ساختار پیشنهاد شده در مقادیر متفاوت طول کانال، عملکرد بهتری از نظر تاخیر کلید زنی و حاصلضرب تاخیر در مصرف توان (PDP) از خود نشان داده است و اعمال این ساختار منجر به بهبود چشمگیری در این دو مشخصه مهم افزاره شده است. همچنین به دلیل وجود دو هاله ناخالصی در کانال ساختار پیشنهاد شده، آن را با ساختار CNTFET دو هاله ای با جریان اشباع برابر مقایسه کرده ایم و برتری های ساختارهای پیشنهاد شده را نسبت به آن نشان داده ایم.

کلیدواژه ها:

ترانزیستور اثر میدان نانولوله کربنی (CNTFET) ، تابع گرین نا متعادل (NEGF) ، گیت دوقلو ، جریان نشتی ، تاخیر کلید زنی ، حاصلضرب تاخیر در مصرف توان (PDP) ، طول کانال