بهینه سازی موجبر شیاری استریپی نانوفوتونیک سیلیکونی برای کاربردهای غیرخطی

در مدارهای مجتمع نانوفوتونیک سیلیکونی از یک زیرساخت موجبری واحد به منظور طراحی و ساخت قطعات مختلف استفاده می شود. موجبر شیاری سیلیکونی یکی از جدید ترین و بهترین زیرساخت های موجبری است، زیرا شدت نور بالایی در محل شیار فراهم نموده و در این ناحیه می توان از سیلیکای دوپ شده با نانوکریستال های سیلیکونی (Si-nc:SiO2) به عنوان یک ماده جدید سازگار با فناوری CMOS که دارای ضریب شکست غیرخطی بالا و ضریب شکست خطی پایین است، استفاده کرد. در این مقاله، تحلیل مودی تمام - موج موجبرهای شیاری استریپی عمودی و افقی در رژیم های خطی و غیرخطی با استفاده از فرمولبندی خط انتقالی مبتنی بر بسط لانکزوس- فوریه انجام شده و ضخامت بهینه شیار به منظور تحقق حداکثر کارآیی غیرخطی موجبر بدست آمده است.

کلیدواژه ها:

اثر کر نوری ، بهینه سازی ، فرمولبندی خطی انتقالی ، موجبر شیاری ، نانوفوتونیک سیلیکونی ، نور غیرخطی