بررسی تأثیر پارامترهای ترانزیستور CNFET بر عملکرد مدارهای D-Latch توان پایین و سرعت بالا
محل انتشار: سومین کنفرانس ملی و اولین کنفرانس بین المللی پژوهش هایی کاربردی در مهندسی برق، مکانیک و مکاترونیک
سال انتشار: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 519
فایل این مقاله در 10 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ELEMECHCONF03_0801
تاریخ نمایه سازی: 9 مرداد 1395
چکیده مقاله:
هدف ما در این مقاله بررسی تأثیر پارامترهای ترانزیستور CNFET بر عملکرد مدارهای D-Latch توان پایین و سرعت بالا می باشد. از D لچ ها برای طراحی سلول های حافظه که امکان ذخیره سازی یک بیت اطلاعات را دارد استفاده می کنند. ابتدا با استفاده از نرم افزار HSPICE سه نمونه مدار D-latch را در محیط CNFET شبیه سازی نموده سپس بمنظور بررسی و مقایسه عملکرد مدارها در ولتاژهای مختلف، پارامترهای آن از قبیل توان مصرفی، میزان تأخیر و مقدار PDP (حاصلضرب توان در تأخیر) را در فرکانس 100 مگاهرتز بدست می آوریم. در انتها به بررسی تأثیر پارامترهای ترانزیستورهای اثر میدانی نانولوله ی کربنی بر عملکرد مدار D لچ می پردازیم.
کلیدواژه ها:
ترانزیستورهای اثر میدانی نانولوله کربنی(D-latch ، (CNFET ، توان پایین ، سرعت بالا ، تحرک پذیری الکترون ها
نویسندگان
سید محسن عبدالهی موسوی
دانشجوی کارشناسی ارشد مهندسی برق- الکترونیک، دانشگاه لرستان
عباس رمضانی
استادیار و عضو هیات علمی دانشگاه لرستان
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :