مدلسازی خطای تک الکترونی در گیت اکثریت اتوماتای سلولی کوانتومی
محل انتشار: دومین همایش پژوهش های نوین در علوم و فناوری
سال انتشار: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 683
فایل این مقاله در 5 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
EMAA02_198
تاریخ نمایه سازی: 8 آذر 1394
چکیده مقاله:
در هر فناوری، بروز نقصهایی حین ساخت، از جمله موارد گریز ناپذیر در ساخت مدارهای الکترونیکی است. به دلیل ماهیت نقصپذیر فناوری نانو، توجه ویژه به این مساله در مرحله طراحی مدارها ضروری است. فناوری اتوماتای سلولیکوانتومی نیز مانند سایر فناوریهای نانو الکترونیک، به شدت در معرض نقصهای اجتناب ناپذیر حین ساخت قرار دارد گزارش شده است. با توجه به CMOS و احتمال بروز نقص در این فناوری در حدود صد هزار برابر فناوری ساخت درپیشبینی نرخ خرابی بالا در مرحله ساخت این فناوری، انتظار بر این است که در مرحله طراحی، با مدلسازی نقصهای اجتناب ناپذیر حین ساخت، راهکارهایی جهت کاهش تاثیر آن نقصها بر عملکرد مدار ارائه شود. در این مقاله مدلسازی خطای تک الکترونی در گیت اکثریت اتوماتای سلولی کوانتومی ارائه میگردد
کلیدواژه ها:
نویسندگان
مژده مهدوی
گروه الکترونیک، واحد شهر قدس، دانشگاه آزاد اسلامی شهر قدس، ایران
محمدامین امیری
دانشکده الکترونیک، دانشگاه صنعتی مالک اشتر، تهران، ایران
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :