طراحی تقویت کننده کم نویز تفاضلی با توان مصرفی پایین و تطبیق امپدانس مناسب درورودی با استفاده از روش اتصال ضربدری
محل انتشار: چهارمین همایش پژوهش های نوین در علوم و فناوری
سال انتشار: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 596
فایل این مقاله در 7 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
EMAA04_019
تاریخ نمایه سازی: 12 تیر 1395
چکیده مقاله:
استفاده از تقویت کننده ی کمنویز سبب می شود که نویز طبقات بعد به وسیله به وسیله ی بهره ی تقویت کننده ی کم نویز کاهش می یابد ولی نویز تقویت کننده ی کم نویز به طور مستقیم در سیگنال دریافتی تزریق می شود لذا یک پیش شرط برای تقویت کننده ی کم نویز آن است که در حالی که سیگنال را تقویت می کند.نویز و اختلال بسیار کمی به آن بیافزاید تا بازایابی سیگنال در طبقات بعد به نحو مطلوب صوت گیرد. در این مقاله برای طراحی مدار تقویت کننده ی کم نویز ا زفناوری μm CMOS 0/13 استفاده شده است. زیرا علی رغم قابلیت تحمل توان پایین وارزان بودن نسبت به سایر فناوری های و قابلیت تجمیع بالا؛ این فناوری را محبوب کرده است همچنین در فرکانسهای بالا نیز پرکاربرد شده است و بااستفاده از روش خازن ضربدری در ساختارتقویت کننده ی کم نویز می توانیم بهتوان مصرفی پایین و بهره بالا دست یابیم.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
پریسا تقی زاده
دانشجوی کارشناسی ارشد رشته الکترونیک دانشگاه آزاد اسلامی واحد فسا
عباس کمالی
عضو هیئت علمی گروه برق دانشگاه آزاد اسلامی واحد فسا
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :