مروری بر تکنولوژی نوین RB-IGBT جهت افزایش کارایی مبدل های سوئیچینگ توان بالا
سال انتشار: 1392
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,106
فایل این مقاله در 9 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
EOESD01_089
تاریخ نمایه سازی: 11 خرداد 1393
چکیده مقاله:
در این مقاله ترانزیستور دو قطبی با گیت عایق و قابلیت انسداد معکوس (RB-IGBT) به عنوان یک المان جدید جهت مقاصد توان بالا مورد بحث و بررسی قرار گرفته است . کاربردهای این المان درالکترونیک قدرت و استفاده در مبدل های صنعتی آورده شده و در مورد مزایا و معایب آن بحث می شود. سوئیچ های دو جهته مورد بررسی قرار گرفته اند. RB-IGBT با المان های قدرت دیگر مقایسه شده و همچنین ساختار فیزیکی و آرایش های مهم و نحوه عملکرد این المان توضیح داده شده است.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
علی شیخ زاده تکابی
گروه برق دانشگاه آزاد اسلامی واحد نجف آباد
مسعود جباری
عضوهیئت علمی گروه برق دانشگاه آزاد اسلامی واحد نجف آباد
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :