بررسی ترانزیستورهای MTCMOS ، VTCMOS و DTCMOC با رویکردی بر مقایسه مشخصه های آنها
سال انتشار: 1392
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 683
فایل این مقاله در 9 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
EOESD01_095
تاریخ نمایه سازی: 11 خرداد 1393
چکیده مقاله:
با توجه به اینکه موضوع مصرف توان یک بخش مهم در مدارات SOC امروزی می باشد و در تجهیزات قابل حمل تاثیر زیادی دارد و از طرفی با پیشرفتتکنولوژی، شاهد افزایش نمایی جریان نشتی و در نتیجه مصرف بالای توان استاتیک در حالت standby می باشیم، در این مقاله سعی شده مدارات چندآستانه ای MTCMOS و تکنیکهای مدولاسیون میزان کشت سیگنال حالت خواب تکفاز و نوع سه فاز - مولد سیگنال حالت خواب سه مرحله ای کاملا جدید دیجیتال، تکنیک بایاس بدنه مستقیم پویا که دارای سه بخش: 1. تکنولوژی مدار MTCMOS سه وجهی 2. تکنولوژی جدید مدارMTCMOS بایاس بدنه مستقیم پویا 3. ویژگیهای نویز مزاحم سوئیچینگ و مصرف توان نشتی مدارهای MTCMOS مطرح شود، عملکرد ولتاژآستانه متغیر قطعه VTCMOS و زمینه های تحلیلی عملکرد مدارهای سری: ساختار قطعه - جریان های روشن و خاموش در اتصال سری و در نهایت عملکرد زیرآستانه deep sub-micron طرح های بایاس CMOS و DTCMOS و کاربرد آن در FPGA و در انتها تجزیه و تحلیل ساختمانFPGA بررسی شود.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
زهره محمدخانی
دانشجوی کارشناسی ارشد - مهندسی برق الکترونیک دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات خراسان رضوی(نیشابور)
مرتضی زیلایی
دانشجوی کارشناسی ارشد - مهندسی برق الکترونیک دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات خراسان رضوی(نیشابور)
سید رضا طالبیان
استادیار دانشگاه امام رضا(ع) مشهد
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :