ارائه یک مدل مونت کارلو برای محاسبه رفتار دینامیکی حامل های نوری در افزاره فلز نیم رسانا فلز

سال انتشار: 1392
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 559

فایل این مقاله در 6 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

EOESD01_143

تاریخ نمایه سازی: 11 خرداد 1393

چکیده مقاله:

در این مقاله، از یک مدل دو دره ای - دو باندی برای الکترون ها و حفره ها استفاده شده است. با فرض باندهای غیرسهموی انرژی، معادله پواسون دردو بعد حل میشود. سپس تابش یک پالس نوری به افزاره با تولید جفت الکترون - حفره معادل شده و مؤلفه های جریان الکترون و حفره محاسبه میشود. برای ارزیابی درستی کارکرد مدل ارائه شده، نتایج بدست آمده از مدل با یک مدل معتبر علمی مقایسه شده است.

کلیدواژه ها:

آشکارساز نوری فلز - نیم رسانا - فلز ، روش مونت کارلو ، معادله بولتزمن ، جذب نور

نویسندگان

محبوبه مرعشی نژاد

دانشجوی کارشناسی ارشد دانشگاه شهید چمران اهواز

محمد سروش

استادیار گروه برق دانشگاه شهید چمران اهواز

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • Xia Zhao, Marc Currie, Adriano Cola, Fabio Quaranta, Eric Gallo, ...
  • H. S. Nalwa, Photodetectos and Fiber Optics, London :Academic Press, ...
  • K. Nakajima, T. Iida, K. I. Sugimoto, H. Kan, and ...
  • M.Soroosh and M. A. Mansouri-Birj andi, "Monte Carl Simulation of ...
  • C. Moglestue, "Monte Carlo Simulation of Semiconducto Devices", Chapman and ...
  • Z. Marks and B. V. Zeghbroeck, "High-Speed Nanoscale Metal- S ...
  • K. Tomizawa, "Numerical Simulation of Semiconducto Devices", Artech house press, ...
  • T. Brudevoll, T. A. Fjeldly, J. Baek and M S. ...
  • M. Soroosh, M. K. Moravvej -Farshi and K. Saghafi, _ ...
  • نمایش کامل مراجع