The influence of bulk donor and acceptor traps on electrical behavior of p+n photodiode based on InSb
سال انتشار: 1392
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: انگلیسی
مشاهده: 800
متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
EOESD01_206
تاریخ نمایه سازی: 11 خرداد 1393
چکیده مقاله:
The influence of bulk donor and acceptor traps on electrical behavior of p+n photodiode based on InSb, is modeled. Theeffects of different trap types with different energy level on the dark current level, recombination rate, and electric field profile at 77Kare investigated. Our results show that the bulk acceptor traps with energy level near valence band significantly increase the darkcurrent and reduce the electric field. We also show that the acceptor traps in bulk increase recombination rate
نویسندگان
Parinaz Vahdani Moghadam
Department of Electrical Engineering, Islamic Azad University- South Tehran Branch, Tehran, Iran
Mortaza Fathipour
Department of Electrical & Computer Engineering Faculty of Engineering University of Tehran, Tehran, Iran
Gholamreza Abaeiani
Semiconductor Department, Laser and Optics Research School, Tehran, Iran