مدلسازی، شبیه سازی و اعتبار سنجی ترانزیستوردوقطبی سیلیکون کاربید قدرت براساس مدل فیزیکی بیان شده با معادله انتشار Ambiplor

سال انتشار: 1392
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 515

فایل این مقاله در 12 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

EOESD01_222

تاریخ نمایه سازی: 11 خرداد 1393

چکیده مقاله:

این مقاله یک مدل مبتنی بر فیزیک ترانزیستور پیوند دو قطبی و صحت اعتبار آن را از طریق شبیه سازی نشان می دهد . راه حل سری فوریه بهمنظور حل معادله انتشار تساوی یون های مثبت و منفی ( Ambipolar ) در ناحیه کلکتور ترانزیستور استفاده می شود . این مدل توسطMATLAB و Simulink تحقق می یابد . نتایج حاصل از شبیه سازی تغییرات شکل موج ها بدست خواهند آمد.

کلیدواژه ها:

ترانزیستور پیوند دوقطبی سیلیکون کاربید ، مدلسازی نیمه هادی قدرت

نویسندگان

پریسا بهرامی

دانشگاه آزاد اسلامی واحد یزد، گروه مهندسی برق و الکترونیک، یزد، ایران

محسن معصومی

دانشگاه آزاد اسلامی واحد جهرم، گروه مهندسی برق و کامپیوتر، جهرم، ایران

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • W.J.Schaffer, G.H.Negley, K. G. Irvine, andJ. W.Palmour, :Con- ductivityani sotropy ...
  • Society, _ 994pp.5 95-600). ...
  • IEEEElectrow .DeviceLett. , vol.22, no.3, pp. 1 _ 9-120, Mar.200 ...
  • W. V. Muench and P Hoeck, "Silicon carbid bipolar transistor, ...
  • _ unctiontransi stors, 'IEEElectron. Lett. , vol.36, no. 17, pp. ...
  • S .Balachandran, C , Li, P.A. Losee, I.B .Bhat, andT. ...
  • re S i stanc ebe lowtheunipo larlimitusinga selectively grownb ase ...
  • S .H , Ryu, A. K.Agarwal, R. Singh, andJ. W.Palmour, ...
  • _ 0Vari ablemodellevl sforp _ ersemi conductord evices, inProc. 200 ...
  • H .Z. Fardi, _ _ Mo d e l ing ...
  • P.R.Palmer, E. Santi, J .L .Hudgins, X .Kang, .. C ...
  • _ _ ircuit S i mu l atormo de _ ...
  • X .Kang, ; _ C haracterizati onandmo de _ ingo ...
  • ndio de S withc arri erlifetime zoning: PartIDevice model, " ...
  • ac hopp erc e _ lus ingM AT LAB andsimulink, ...
  • The MathWorks, Inc. (1994-20 12).Online]. Available: http : //ww w.Mathworks ...
  • J.Sci. Comput..vol.1 8, no.1, pp.1- ...
  • _ _ _ ervat i ono fdeeptrap Sre sp ons ...
  • pp.986-993. , 2009 و SiCP iNdiodes, inProc. IEEEEnergy Convers. Congr.Expo. ...
  • Agarwal, _ M o de _ ingand simulationofas iC BJT, ...
  • نمایش کامل مراجع