مدلسازی، شبیه سازی و اعتبار سنجی ترانزیستوردوقطبی سیلیکون کاربید قدرت براساس مدل فیزیکی بیان شده با معادله انتشار Ambiplor
سال انتشار: 1392
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 515
فایل این مقاله در 12 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
EOESD01_222
تاریخ نمایه سازی: 11 خرداد 1393
چکیده مقاله:
این مقاله یک مدل مبتنی بر فیزیک ترانزیستور پیوند دو قطبی و صحت اعتبار آن را از طریق شبیه سازی نشان می دهد . راه حل سری فوریه بهمنظور حل معادله انتشار تساوی یون های مثبت و منفی ( Ambipolar ) در ناحیه کلکتور ترانزیستور استفاده می شود . این مدل توسطMATLAB و Simulink تحقق می یابد . نتایج حاصل از شبیه سازی تغییرات شکل موج ها بدست خواهند آمد.
کلیدواژه ها:
ترانزیستور پیوند دوقطبی سیلیکون کاربید ، مدلسازی نیمه هادی قدرت
نویسندگان
پریسا بهرامی
دانشگاه آزاد اسلامی واحد یزد، گروه مهندسی برق و الکترونیک، یزد، ایران
محسن معصومی
دانشگاه آزاد اسلامی واحد جهرم، گروه مهندسی برق و کامپیوتر، جهرم، ایران
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :