ویژگی های نیمه هادی گالیم نیترید

سال انتشار: 1392
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 2,111

فایل این مقاله در 6 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

EOESD01_282

تاریخ نمایه سازی: 11 خرداد 1393

چکیده مقاله:

تکنولوژی نیمه هادی مدرن منجر به تغییرات مناسب قطعات می شود و نقش مهمی را در زندگی روزمره ایفا می کند . اساس ساخت پردازشگرها و تمام دستگاه هایی که به نحوی اطلاعات و عملیاتی را پردازش می کنند، از کامپیوتر شخصی گرفته تا دستگاه های عکس برداری پزشکی و ... نیمه هادی هاست.قطعات مبتنی بر نیمه هادی های گروه 3 به ویژه نیمه هادی GaN به دلیل خواص ذاتی ماده , نوید قطعاتی با قدرت بالا , فرکانس بالا و توان مصرفی پایی را می دهد . ای مقاله به بررسی ویژگی های نیمه هادی گالیم نیترید در قطعات می پردازد .

نویسندگان

پریسا اسماعیلی

دانشجوی کارشناسی ارشد نانوالکترونیک

کریم عباسیان

استاد دانشگاه تبریز

غلامرضا کیانی

استاد دانشگاه تبریز

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • . Kharagpur , Power Semiconductor Devices , 2009. ...
  • .Muller, Richard S., and Theodore I. Kamins, John Wiley and ...
  • . Yu, Peter Y.; Cardona, Manuel :Fundamentak _ S emiconductor ...
  • . M. Higashiwaki, T. Mimura, and T. Matsu. IEEE Electron ...
  • . Y. COhno and M. Kuzuhara , IEEE Trans. Electron ...
  • .Eimers, Karlp., _ Modeling of GaN hemt I Corporating the ...
  • . K. Furutaa, _, N. Nakamurab, c, X.Q. Shenb, M. ...
  • . F. Bernardini, V. Fiorentini, D. Vanderbil. Spontaneous polarization and ...
  • .J.-M.Wagner and F , Bechstedt :Properties of strained wurtzite GaN ...
  • .Chandra Prakash and R.K.Chanhar. Analyses of 2-DEG Characteristics in GaN ...
  • . Makimoto, T., Y. Yamauchi & K. Kumakura :High-power characteristics ...
  • GaN/InGaN double heterojunction bipolar transistors. Applied Physics Letters, 84, 1964-1966. ...
  • . Li-Hsien Huang, 1 Su-Hao Yeh, 2 and Ching-Ting Lee1, ...
  • . Ching-Ting Lee: GaN-based Metal-Oxide- Semiconductor Devices, Semiconductor Technologies, Jan ...
  • . Li-Hsien Huang, 1 Su-Hao Yeh, 2 and Ching-Ting Lee1: ...
  • . Hiroshi Harima. Properties of GaN and related compounds studied ...
  • نمایش کامل مراجع