طراحی منبع جریان مرجع سی ماسی برای استفاده در کاربردهای کم توان

همگام با پیشرفت تکنولوژی نیاز به طراحی و استفاده از بلوکهای مداری با توان کم، بیش از پیش احساس میشود. در این مقاله یک مرجع جریان CMOS در تکنولوژی استاندارد m 0/11μ TSMC درجهت رفعاین نیاز طراحی شدهاست. مدار ارایه شده از سه تکنیک برای تولید مرجع جریان کم توان با پایداری در مقابل تغییرات دما و تغییرات منبع تغذیه استفاده میکند. اول: استفاده از تقسیم ضریب دمایی دو المان بهجایجمعکردنشان برای خنثی کردن تغییرات دمایی. دوم: استفاده از یکسری ترانزیستور بجای مقاومت. سوم: به- کاربردن یک تقویتکننده عملیاتی برای ثابتکردن خروجی در مقابل تغییرات ولتاژ ورودی. عملکردترانزیستورهای مدار در ناحیه زیرآستانه منجر به کاهش توان مصرفی این بلوک مداری شده است. استفاده ازولتاژ ورودی 1 ولت و رسیدن به ضریب دمایی ppm/˚C17/9 درمحدوده دمایی 0-100 درجه سانتیگراد همچنین حساسیتخطی 0/23درصد درمحدوده 1/5-3 ولت ازویژگیهای مثبت مدارطراحی شده درمقایسه با کارهای انجام شده قبلی به شمار می آید توان خروجی مدار 1/4μW و PSRR آن -70dB رفتارمدار درگوشه های پروسه نیز مورد بررسی قرارگرفته است