طراحی مدار های ترکیبی عملکرد بالا توسط مواد نانو الکترونیک همراه باcMOS
سال انتشار: 1393
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,376
فایل این مقاله در 6 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
IAUFASA02_013
تاریخ نمایه سازی: 17 اسفند 1393
چکیده مقاله:
نانوالکترون ها با CMOSسیلیکون در مدارهای ترکیبی با عملکرد بالا جایگزین می شوند. برای رسیدن به این هدف , سرمایه گذاری قابل توجهی در تحقیق و توسعه ی وسایل جدید نانوالکترونیک و تکنیک های ساخت در حال انجام است. وقتی که این تکنولوژی ها رشد کنند, آنهامی توانند برای تولید آینده ی سیستم های الکترونیک به کار برده شوند. در این متن ما دو طرح بالقوه را برای طراحی FPGAهای نانوالکترونیک مقایسه می کنیم. با ارزیابی عملکرد وسایل نانوالکتریک در سطح سیستم ها , هدف ما ایجاد راهنمایی برای کاربرد موثرآنها می باشد
کلیدواژه ها:
نویسندگان
علیرضا پولادی
مدیریت نظارت و آزمایش و تحویل در شرکت مخابرات استان کرمان کارشناسی ارشد برق –الکترونیک دانشگاه شهید باهنر کرمان
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :