کاربرداثر لایههای کم اثرپذیر دیودهای لیزری

ما اثر ساختار کماثرپذیر را در حالت توزیع نوری و مشخصههای رشته لبه موج بر با خارج کردنAlGaInP–GaInP در دیودهای لیزری مرئیLDsرا بررسی میکنیم. برای طرحهای متداول تک لایهSiO2 یا 2 Si3Nکماثرپذیر هستند، اختلاف جانبی در میدان نزدیک با تعیین حدود و در سطح افقی دور از میدانFFواگرایی میتواند با تغییر ضخامت لایه دی الکتریک معین شود. لایه نازک کماثرپذیر جذب بالایی را در رابط فلزی تحمل میکند، درحالیکه ضخامت کماثرپذیر اتلاف گرمای ضعیفی را در رشته موجبر و پراکندگی اتلاف را تحمل میکند که نتیجه آن در حدنهایی بالا است. ما یک طرح جدید را از چندین لایهAl2O3/ Ta2O5سه جفتی در پردههای نازک نوری بشکل کماثرپذیر در رشته موجبر را پیشنهاد میدهیم که میتواند مشخصات لیزری و اتلاف گرمایی را بهبود بخشد جریان حدنهاییIthدر دو اتاق سنجیده شده است و درجهحرارت مشخصه4445 mA T, k10442 با زاویه واگرایی 1.44 درجه میباشد

کلیدواژه ها:

موج بر .اتلاف گرمایی.لیزر ، led