تقویت کنندهی توان دوطبقهی کلاس J بر مبنای تکنولوژی گالیمنیترید با راندمان بالا

در کشورهای در حال توسعه و توسعه یافته، بهدلیل استفادهی کمتر از خطوط ثابت تلفن، استفاده از تلفن همراه گسترده تر شدبنابراین فناوری ارتباط بیسیم جهانی، توسعهی بسیار وسیعی در دههی اخیردادته است ] 1[. همچنین همزمان با تحولاتی که در صنعت ارتباطات بیسیم وجود دادت، پیشرفتهای فوق العاده ای در فرن آوریهای نیمههادی پدید آمد. تقاضای سریع مصرفکنندگان برای تلفن هایهمراه هوشمند قابل حمل و باصرفه هم از نظر هزینه و هم از نظرحفظ توان باتری در پهنای باند پهن 1، باعث پیشرفت این فناوری شده است. در واقع چنین پیشرفت هایی، پایه ی محکمی را برایگسترش سیستمهای ارتباطی بیسیم بنا کرد . می توان مهم ترینپیشرفتها را، توسعه در تکنولوژی سیماس نام برد ویژگی قابل توجه ترانزیستورهای سیماس، استفاده از توان کمتر در هر عملکردی از مدارهای دیجیتال و سرعت بالای پردازش آن است . یکپارچه سازی در سطح بالا در مدارهای مجتمع، ثابت کرده است که برای برنامههای کاربردی، یک راه موثر برای کاهش هزینه و دستیابی بهفشردگی به طور هم زمان است . در سال 8991 ، اولینتقویتکنندهی توان رادیویی سیماس با توان تحویلی یک وات در محدودهی فرکانسی دو گیگاهرتز، با راندمان افزوده به توان 41درصد و منبع تغذیهی دو ولت ساخته شد. سیستمهای ارتباطی بیسیم، نیازمند تقویتکنندههای توان خطی بالاست تا سیگنالی از فرستنده با حداقل فاز و حداقل اعوجاج دامنه به گیرنده بفرستد.

کلیدواژه ها:

تقویتکنندهی توان ، راندمان افزوده به توان ، کلاسJ کلاسAB ، ترانزیستور گالیم نیترید