طراحی تقویت کنندهLow power CMOSکم نویز باندگسترده با تکنیک حذف نویز
سال انتشار: 1393
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 564
فایل این مقاله در 8 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
IAUFASA02_099
تاریخ نمایه سازی: 17 اسفند 1393
چکیده مقاله:
این مقاله طرحی را برای یک تقویت کننده کم نویز فوق پهن باندCMOSو با توان کم ارائه می دهد که از یک تکنیک حذف نویز با فرآیندTSMC 0.18 μm RFاستفاده می کندUWB LNA پیشنهادی از یک ساختار استفاده دوباره از جریان استفاده می کند تا به جای استفاده از یک طبقه آبشاری، مصرف توان کل را کاهش دهد. این ساختار، همان مقدار جریانDC برای اجرای همزمان دو ترانزیستور را مصرف می کند.تکنیک تنظیم یک در میان که برای دستیابی به یکنواختی بهره در فرکانس مورد نظر گزارش شده است تا نقاط فرکانس تشدیدی پایین و بالا راروی کل پهنای باند ازGHz 3.1 تا GHz10.6 داشته باشیم. نقاط تشدید درGHz 3 تا GHz10 تنظیم شدند تا یکنواختی بهره کافی و اتلاف بازتابشی (برگشتی) را موجب شوند. و تکنیک حذف نویز برای حذف منبع غالب نویز استفاده شده که توسط اولین ترانزیستور تولید می شوند. نتایج شبیه سازی یک بهره تخت و یکنواختS21 > 10 dBرا با یک تطبیق امپدانس ورودی خوب کمتر ازdB-10 و نیز یک مینیمم رقم نویز 2.dBرا روی کل باند نشان می دهندUWB LNAپیشنهادیmW15.2 از یک منبع توان V1.8 را مصرف می کند
کلیدواژه ها:
نویسندگان
حاتم محمدی کامروا
استاد دانشگاه آزاد اسلامی واحد فسا
محمدجعفر کارگر
دانشجوی کارشناسی ارشد مهندسی برق دانشگاه آزاد اسلامی واحد فسا
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :