تقویت کننده کم نویز با خاصیت خطی بالا برای کاربردهای 5 گیگاهرتز
سال انتشار: 1393
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 785
فایل این مقاله در 6 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
IAUFASA02_212
تاریخ نمایه سازی: 17 اسفند 1393
چکیده مقاله:
یک تکنیک خطی سازی برای تقویت کننده های کم نویز درتکنولوژی 0/18 مایکرون طراحی و شبیه سازی شدها ست ازقضیه ی مشتق جمع اثار یعنی روش DS و ویژگیهایی ترانزیستورهای BJT MOS جهت پیشبرد خاصیت خطی بودن استفاده شده است تقویت کننده کم نویز پیشنهادی نقطه ی تقاطع سوم IIP3 بالا توسط دوترانزیستور را به ما میدهد ترانزیستوراصلی FET درناحیه ی معکوس قوی بایاس شده درحالیکه ترانزیستور کمکی BJT درناحیه ی معکوس فعال بایاس شده است یک ساختار Current -Reusedجهت افزایش بازده تقویت کننده کم نویز بدون افزایش توان مصرفی انتخاب شده است تقویت کننده کم نویز طراحی شده بازده 14db را نشن میدهد همچنین عدد نویز 1/06dB درفرکانس 5گیگاهرتز را شبیه سازی می کند نقطه تقاطع سوم به مقدار7dB و توان مصرفی به اندازه ای 4/5mW ازیک منبع ولتاژ0/95ولتی نشان میدهد تلفات برگشتی ورودی s11 و تلفات برگشت خروجی S22 شبیه سازی شده به ترتیب درمقدار22.23dB-و11.64dB-نگهداشته شدهاست ایزولاسیون معکوسS12 بهتر از24.28dB- می باشد
کلیدواژه ها:
تقویت کننده کم نویزLNA ، فرکانس رادیویی ، روش مشتق جمع آثار ، نویز حرارتی ، روش استفاده ی مجدد ازجریان
نویسندگان
سعید نوروزی مطلق
دانشجوی کارشناسی ارشدمهندسی برق دانشگاه آزاد اسلامی واحدفسا
مسعود جباری
عضوهیئت علمی دانشکده مهندسی برق دانشگاه آزاد اسلامی واحدفسا
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :