محاسبه پارامترهای نانوساختار لایه نازک ایندیم اکسید آلاییده شده با قلع با استفاده از روش ریدفیلد و وارن-اورباخ

طیف تفرق اشعه X اکسید ایندیم آلاییده شده با قلع (ITO) آماده شده توسط روش تبخیر باریکه الکترونی وعملیات حرارتی شده در دو دمای 450C 500C توسط دو روش Warren-Averbach و Rietveld آنالیز شد پارامترهای الکتریکی و نوری نیز توسط ترکیب مدل ترکیب مدل تعدیل شده Drude و مدل Froohi - bloomer و سپس تطابقت دادن طیف عبور اندازه گیری شده و محاسبه شده، محاسبه شد . نتایج نشان داد که نمونه آنیل شده در دمای بالاتر هدایت الکتریکی، حاملهای بار، پارامتر شبکه، میکروکرنش بالاتری دارد . در حالی که در نمونه آنیل شده در دمای پایین تر عیوب بیشتر در مرزدانه ها می باشند و همچنین مکانیزم هدایت الکتریکی درون دانه ای می باشد. شیفت Burstein–Moss نیز در نمونه آنیل شده در دمای بالاتر شدیدتر می باشد و همچنین بافت و آرایش ترجیهی نمونه آنیل شده در دمای بالاتر در جهت <111> نسبت به جهت <100> افزایش یافته است.

کلیدواژه ها:

اکسید ایندیم آلاییده شده با قلع ، طیف عیور ، روش ریدفیلد ، روش وارن-اورباخ