سنتز لایه نازک اکسید روی به روش رسوب نشانی الکترواسپری و بررسی خواص فوتولومینسانس آن

اکسید روی ZnO)یک ترکیب نیمه هادی با ساختار پا یدار ورتزیت است که بدلیل خواص پیزوالکتریسیته و اثر فوتوالکتر یک دار ای محدوده کاربرد بس یار وسیعی می باشد. روش های رشد لایه ها ی نازکZnO شامل روش های مختلف ی مانند رسوب نشان ی ش یمیایی از فاز بخار، سل ژل، اپ یتکسی اش عه مولکو لی با استفاده از پلاسما، هیدروترمال و غیره می باشد. در این پژوهش نتا یج حاصل از سنتز لا یه ها ی نازک ترانسپارنتاکسید روی بلورین وآمورف به روش بسیار ساده، دما پایین و موثر رسوب نشانی الکترواسپری مورد بررسی قرار گرفته اند. محلول اولیه با استفاده از ن یترات روی و آمون یاک با نسبت مولی 1:1 آماده شدند و بادستگاه رسوب نشانی الکتر واستاتیک بر روی سابستریت شیشه ای که دردمای ° 250 سانتیگراد نگهداری می شود اسپری شدند. جزئیات شرایط مختلف سنتز با استفاده از نیترات روی و آمونیاک به عنوان پیش ماده مورد ارزیابی قرار گرفته اند و مورفولوژی ساختاری وخواص نوری لا یه ها ی نازک بررسی شدند .نتایج پراش پرتو ایکسXRD)نشان دهنده وجود ساختار ورتز یت هگزاگونال در نمون ه های بلورین بود وهیچ گونه پیک مربوط به فاز ناخالصی در آن مشاهده نشد. بررسی سطح نمونه ها توسط م یکروسکوپ الکترونی روبشیSEM)نشان داد که کاهش غلظت محلول اول یه موجب رس یدن به پوشش هایی با یکنواختی بیشتر و رافنس کمتر می شود. خواص نوری لا یه ها توسط فوتولوم ینسانس بررس ی شدند و مطابق رابطه براگ بند گپ لایه نازک حاصله3/32الکترون ولت محاسبه شد.

کلیدواژه ها:

اکسید روی ، لایه نازک ، رسوب دهی الکترواسپری ، خواص نوری