پیشنهاد وبررسی ساختارهای جدید برای FET ساخته شده با نانو تیوب کربنی

سال انتشار: 1385
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,519

فایل این مقاله در 6 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

ICEE14_267

تاریخ نمایه سازی: 25 تیر 1387

چکیده مقاله:

معادله جریان‐ولتاژ برای یک ترانزیستور FET ساخته شده با نانو تیوب کربنی معمولی با دیودهای شاتکی در طرف های سورس و درین مورد بررسی قرار گرفته اشکال آن از لحاظ کاربرد در مدارهای آنالوگ بحث می شود. سپس چند ساختار جدید برای رفع عیب پیشنهاد شده و عملکرد آن ها با هم مقایسه می شود.

نویسندگان

رحیم فائز

دانشگاه صنعتی شریف

سید ابراهیم حسینی

دانشگاه تربیت دبیر سبزوار