بررسی محل ذخیره بار در نانو کریستال های سیلیکان سنتز شده به روش کاشت یونی با انرژی فوق العاده کم
محل انتشار: چهاردهمین کنفرانس مهندسی برق ایران
سال انتشار: 1385
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,036
فایل این مقاله در 5 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICEE14_301
تاریخ نمایه سازی: 25 تیر 1387
چکیده مقاله:
در این مقاله محل ذخیره بارهای الکتریکی در نانو کریستال هایی که با روش کاشت یونی با انرژی فوق العاده کم (1KeV) سنتز شده اند مورد بررسی قرار گرفته است. بدین منظور مدلسازی لازم با فرض ذخیره بار الکتریکی در تراز های کوانتمی نانو کریستال های سیلیکان انجام شده است و زمان تخلیه یک الکترون بر حسب پارامتر های مختلف ساختار از جمله ابعاد نانو کریستال و ضخامت سد
پتانسیل تخمین زده شده است. این مدلسازی نشان می دهد که نگهداری داده ها به مدت زمان 10 سال برای نانو کریستال هایی به ابعاد 4 نانومتر و ضخامت اکسید 5 نانو منر قابل پیش بینی است. از طرفی مشخصه مدت زمان نگهداری داده ها در افزاره ساخته شده نشان دهنده زمان تخلیه داده ها به مدت 10 سال می باشد و لذا امکان آنکه تراز های کوانتمی مراکز غالب ذخیره بار در این نانو کریستال ها باشند وجود دارد.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
مجید شالچیان
پژوهشکده میکروالکترونیک ایران، nMat Group, CEMES-CNRS, ۲۹ rue Jeanne Marvig, ۳۱۰۵۵ Toulouse, France.
سید مجتبی عطاردی
پژوهشکده میکروالکترونیک ایران، دانشکده برق ، دانشگاه صنعتی شریف
Gerard BenAssayag
nMat Group, CEMES-CNRS, ۲۹ rue Jeanne Marvig, ۳۱۰۵۵ Toulouse, France.
Jeremie Grisolia
Département de Génie Physique, LNMO-INSA, ۱۳۵ Avenue de Rangueil, ۳۱۰۷۷ Toulouse, France.
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :