Fabrication of 100nm Gate length MOSFET’s using a novel carbonnanotube- based nano-lithography
محل انتشار: چهاردهمین کنفرانس مهندسی برق ایران
سال انتشار: 1385
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: انگلیسی
مشاهده: 1,748
فایل این مقاله در 5 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICEE14_322
تاریخ نمایه سازی: 25 تیر 1387
چکیده مقاله:
PECVD-grown carbon nanotubes on (100) silicon substrates have been studied and exploited for electron emission applications. After the growth of vertical CNT's, the grown nano-tubes are encapsulated by means of an insulating TiO2 layer, leading to beamshape emission of electrons from the cathode towards the opposite anode electrode. The electron emission occurs using an anode-cathode voltage of 100 V with ability of direct writing on a photo-resist coated substrates. Straight lines with widths between 50 and 200nm have been successfully drawn. This technique has been applied on P-type (100) silicon substrates for the formation of the gate of N-MOSFET devices. The successful realization of MOSFET devices indicates its usefulness for applications in nano-electronic devices. This device has inversion COX exceeding 0.7μF/cm2, drive current equal to 310μA/μm.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
J. Derakhshandeh
Thin Film Lab Univ. of Tehran
M. BeikAhmadi
Thin Film Lab Univ. of Tehran
K. Baghbani
Thin Film Lab Univ. of Tehran
Y. Abdi
Thin Film Lab Univ. of Tehran
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :