اندازه گیری همزمان ضخامت و ضریب شکست زیر لایه های کریستالی موجبر نوری

در ساخت ادوات نوری فعال مانند سوئیچ و مدولاتور نوری، موجبر بر روی زیر لایه کریستال الکترواپتیک ساخته می شود. شناخت مشخصه های زیر لایه در تعیین مشخصه های ادوات نوری ساخته شده، مؤثر است. در این مقاله با روش تداخل سنجی با نور کوتاه همدوس، به طور همزمان ضریب شکست و ضخامت کریستال لیتیوم نایوبیت اندازه گیری شده است. در بیشتر روش های تداخل سنجی کمیت اندازه گیری شده، راه نوری یعنی حاصلضرب ضخامت و ضریب شکست نمونه است اما با تداخل سنجی با نور کوتاه همدوس، می توان همزمان ضریب شکست و ضخامت نمونه های اپتیکی را تعیین کرد. در اعیین مشخصه موجبر نوری به ویژه نمایه ضریب شکست، با این روش ضخامت و ضریب شکست زیر لایه موجبر با دقت بالایی تعیین می شود.

کلیدواژه ها:

تداخل سنجی ، زیر لایه لیتیوم نایوبیت ، موجبر ، نور کوتاه همدوس