FDLTD method for the Physical Simulation of Microwave FET Transistor
محل انتشار: نوزدهمین کنفرانس مهندسی برق ایران
سال انتشار: 1390
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: انگلیسی
مشاهده: 1,310
متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICEE19_458
تاریخ نمایه سازی: 14 مرداد 1391
چکیده مقاله:
This paper describes an new application of weighted Laguerre polynomial functions to produce a unconditionally stable Finite-Difference Laguerre-Time-domain (FDLTD) scheme for simulation of the Drift-Diffusion Model (DDM) of microwave active devices. The unconditionally stability of FDLTD method leads to a significant reduction in the simulation time. For example, when 100 weighted Laguerre polynomial functions is used, FDLTD is 5 times faster than conventional FDTD method while they have the same degree of accuracy.
کلیدواژه ها:
Microwave FET Transistor ، Semiconductor Device ، finite-difference Laguerre time-domain (FDLTD) ، Drift-Diffusion Model
نویسندگان
Rashid Mirzavand
Electrical Engineering Department, Amirkabir University of Technology, Tehran, Iran
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :