طراحی و شبیه سازی تقویت کننده توان Doherty در تکنولوژی سی ماس 0/18μm در فرکانس 2/4GHz
محل انتشار: بیستمین کنفرانس مهندسی برق ایران
سال انتشار: 1391
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,817
فایل این مقاله در 6 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICEE20_056
تاریخ نمایه سازی: 14 مرداد 1391
چکیده مقاله:
در این مقاله، یک تقویت کننده توانDohertyدر فرکانس2/4GHzبا بازده ی توان بالا طراحی و شبیه سازی شده است. برای این منظور از تکنولوژی سی ماس0/18μm و یک منبع ولتاژ 1/8V استفاده شده است. همچنین در بیرون تراشه دو ترانس با نسبت 1:1 برای جداسازی توان بین دو طبق هی این تقویت کننده به کار برده شده اند. برای مجتمع سازی بهتر مدار، خط انتقال هر دو طبقه ی تقویت کننده توسط اجزای سلفی وخازنی پیاده سازی شد هاند. همچنین کلیه ی سل فهای موجود در این مدار از نوع سل فهای مارپیچی انتخاب شد هاند. این تقویت کننده می تواند حداکثر توان خروجی dBm20/9 را با بازدهی 53 % به بار 50 اهم تحویل دهد. همچنین بهره توان این تقویت کننده در فرکانس 2/4GHz برابر باdB 17/3است.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :