بررسی اثر تغییر ضخامت اکسید گیت برعملکرد دیود اثرمیدانی نانومتری

هدف این مقاله بررسی عملکرد دیوداثرمیدانی اصلاح شده Modified-FED با تغییر ضخامت اکسیدگیت است ساختار این دیود مشابه با یک MOSFET است با این تفاوت که سورس و درین آن از هر دو آلایش نوع pو n تشکیل شده و همچنین دارای دو گیت برروی کانال است به منظوریافتن کمترین ضخامت موثراکسیدگیت این افزارها با ضخامت های اکسید 2و5و10 نانومتر شبیه سازی شده و نتایج حاصله دراینم قاله ارایه شده است از این رو مشخصه جریان نوار هدایت توزیع پتانسیل الکترواستاتیک و پروفایل چگالی حاملها دردو حالت روشن و خاموش مورد بررسی قرارگرفته است نتایج نشان میدهد که درضخامت اکسید 2 نانومتر برای چنین ساختاری کنترل گیت ها برکانال بیشتر بوده بدون آنکه کاهش ضخامت برروی عملکرد افزاره تاثیر نامطلوب داشته باشد.

کلیدواژه ها:

ضخامت اکسید گیت ، ترانزیستورهای اثرمیدانی فلز - اکسید نیمه هادی MOSFET دیود اثرمیدانی FED