بررسی مدنقص دربلورفوتونیک ابررسانا دی الکتریک حاوی نقص با ساختارتصادفی

سال انتشار: 1391
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 881

فایل این مقاله در 5 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

ICEE20_202

تاریخ نمایه سازی: 14 مرداد 1391

چکیده مقاله:

دراین مقاله اثرضریب شکست و ضخامت لایه های تصادفی برروی مدنقص ایجاد شده درمنحنی انتقال یک شبه بلورفوتونیکی یک بعدی ابررسانا - دی الکتریک مورد بررسی قرارمیگیرد نتایج نشان میدهد که با افزایش ضریب قدرت تصادفی ضریب شکست و ضخامت لایههای ابررسانا و دی الکتریک ارتفاع مدنقص به شدت وابسته به جنس لایه ها می باشد به گونه ای که تصادفی بودن لایه ها و ضریب شکست دی الکتریک و ابررسانا دربلور فوتونی اثرات متفاوتی روی مدنقص خواهد گذاشت همچنین مشاهده میشود با افزایش ضریب قدرت تصادفی فرکانس مدنقص بدون تغییر باقی می م اند.

نویسندگان

ناصر نقدی

مجتمع مس سونگون

سیده رقیه موسوی

دانشکده مهندسی کامپیوتر دانشگاه صنعتی شریف

حسین عرفانی نیا

دانشگاه تبریز

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • کمتری به بی‌نظمی نسبت به سایر ساختارها دارد و از ...
  • J. _ Joannopoulous, R. D. Meade, and J. N. Winn, ...
  • E.A. Rehman, A. Shaarawi, "Defect mode in periodic and ...
  • _ _ _ dimensional photonic crystals containing a graded defect ...
  • _ _ Electronics, vol. 39 , No. 2, pp. 364-374, ...
  • نمایش کامل مراجع