Simulation and Analysis of Quantum Dot Laser Based on Tunneling Injection
محل انتشار: بیستمین کنفرانس مهندسی برق ایران
سال انتشار: 1391
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: انگلیسی
مشاهده: 1,276
فایل این مقاله در 6 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICEE20_280
تاریخ نمایه سازی: 14 مرداد 1391
چکیده مقاله:
In this paper we propose a new circuit model for a tunneling injection quantum dot lasers (TI-QDL). The detail of our model is based on independent rate equations. The carrierdensity, optical modes and their powers are described independently. The proposed equivalent circuit is simulated bya Pspice and the results are compared with a model that the rate equations are solved numerically
کلیدواژه ها:
نویسندگان
M. Hashtroodi
Department of Electrical Engineering, Islamic Azad University of Tabriz
A Rostami
School of Engineering Emerging Technology, University of Tabriz
N. Ghazisaeedi
Department of Electrical Engineering, Islamic Azad University of Tehran
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :