Dependence of Self-Heating Effect on Substrate in AlGaN/GaN HEMT Devices
محل انتشار: بیستمین کنفرانس مهندسی برق ایران
سال انتشار: 1391
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: انگلیسی
مشاهده: 2,924
متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICEE20_371
تاریخ نمایه سازی: 14 مرداد 1391
چکیده مقاله:
in this paper, the effect of substrate on thermal resistance of AlGaN/GaN HEMT devices is investigated. The results of this investigation show that device self-heating isstrongly affected by the thickness and material type of substrate and the thermal conductivity of materials utilized in device structure. Sapphire, SiC and GaN substrates are usually used inAlGaN/GaN HEMT devices. For AlGaN/GaN HEMT device, we have investigated that how the use of these substrates influence heating characteristics of the device
کلیدواژه ها:
نویسندگان
Ali Haghshenas
University of Tehran
Morteza Fathipour
University of Tehran