Dependence of Self-Heating Effect on Substrate in AlGaN/GaN HEMT Devices

سال انتشار: 1391
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: انگلیسی
مشاهده: 2,924

متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

ICEE20_371

تاریخ نمایه سازی: 14 مرداد 1391

چکیده مقاله:

in this paper, the effect of substrate on thermal resistance of AlGaN/GaN HEMT devices is investigated. The results of this investigation show that device self-heating isstrongly affected by the thickness and material type of substrate and the thermal conductivity of materials utilized in device structure. Sapphire, SiC and GaN substrates are usually used inAlGaN/GaN HEMT devices. For AlGaN/GaN HEMT device, we have investigated that how the use of these substrates influence heating characteristics of the device

کلیدواژه ها:

component ، AlGaN ، GaN ، High Electron Mobility Transistor (HEMT) ، Self-heating

نویسندگان

Ali Haghshenas

University of Tehran

Morteza Fathipour

University of Tehran