افزایش ولتاژ شکست و کاهش اثر خودگرمایی در افزاره ی SOI-LDMOS
محل انتشار: بیستمین کنفرانس مهندسی برق ایران
سال انتشار: 1391
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,449
فایل این مقاله در 5 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICEE20_421
تاریخ نمایه سازی: 14 مرداد 1391
چکیده مقاله:
در این مقاله ابتدا به بررسی شبیه سازی عددی افزاره ی SOI-LDMOS می پردازیم. سپس با استفاده از تکنیک اکسید مدفوندوگانه، نشان خواهیم داد که ولتاژ شکست این افزاره نسبت به افزاره ی مرسومSOI-LDMOSبا اکسید مدفون سرتاسری، حدود 21/64 درصد افزایش می یابد. همچنین با استفاده از این تکنیک، اثر خودگرمایی به میزان 28/36درصد کاهش می یابد. مزیت روش پیشنهادی این است که جریان نشتی و فرکانس قطع افزاره تغییر چندانی نمی یابد
کلیدواژه ها:
نویسندگان
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :