مدل Spiceممریستور دیاکسید تایتانیوم در مقیاس نانو با کنترل جریان یا ولتاژ وانحراف یون غیرخطی

ممریستور، المان بنیادین چهارمی است که در حدود 40 سال پیش توسط پروفسور لئون چوا بصورت تئوری کشف شد و در کنار سه المان موجود دیگر (مقاومت، خازن و سلف) در دنیای الکترونیک مطرح شده بود اما تا چندی پیش هنوز ساخت یک نمونه فیزیکی از آن به واقعیت نپیوسته بود. تا اینکه سرانجام در سال 2008 شرکتHPممریستوری با ابعاد نانومتری و ساختارTio2 آفریدکه دارای رفتار پیش بینی شده ممریستوری و پدیده هیسترزیس بود. در این مقاله پس از معرفی خصوصیات و ساختار عمومی ممریستور، یک مدلSpice با انحراف یون غیرخطی برای ممریستور دیاکسید تایتانیوم ساخته شده توسط شرکت HP با قابلیت کنترل جریان یا ولتاژ ارائه میگردد. با تنظیم پارامترهای مدل برای مشخصات این ممریستور برخی شبیهسازیهای مداری انجام گردیده و نتایج آن نمایش داده میشوند