Design of tunneling field-effect transistor TFET with hetero-junction

سال انتشار: 1392
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: انگلیسی
مشاهده: 983

متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

ICEE21_610

تاریخ نمایه سازی: 27 مرداد 1392

چکیده مقاله:

In this paper a hetero-junction tunnel field effect transistor (HJ-TFET) with the channel length of 20 nm has been introduced and simulated in which the source/channel heterojunctionis . With precise selection of the mole fraction this hetero-junction, excellent device operation has been achieved. With optimized mole fraction and doping value in the source and the channel regions, on-state current as high as 18 μA/μm and very low off-state current of 10-18 isattained. Moreover in the proposed TFET Ion/Ioff ratio is 1013 which is very high. Also sub-threshold swing of 30 mv/decade is achieved which is well below 60 mv/decade

نویسندگان

M. R. Salehi

Shiraz university of technology

S. E Hosseini

Ferdowsi university of Mashhad

B Dorostkar

Shiraz university