Design of tunneling field-effect transistor TFET with hetero-junction
محل انتشار: بیست و یکمین کنفرانس مهندسی برق ایران
سال انتشار: 1392
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: انگلیسی
مشاهده: 983
متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICEE21_610
تاریخ نمایه سازی: 27 مرداد 1392
چکیده مقاله:
In this paper a hetero-junction tunnel field effect transistor (HJ-TFET) with the channel length of 20 nm has been introduced and simulated in which the source/channel heterojunctionis . With precise selection of the mole fraction this hetero-junction, excellent device operation has been achieved. With optimized mole fraction and doping value in the source and the channel regions, on-state current as high as 18 μA/μm and very low off-state current of 10-18 isattained. Moreover in the proposed TFET Ion/Ioff ratio is 1013 which is very high. Also sub-threshold swing of 30 mv/decade is achieved which is well below 60 mv/decade
کلیدواژه ها:
نویسندگان
M. R. Salehi
Shiraz university of technology
S. E Hosseini
Ferdowsi university of Mashhad
B Dorostkar
Shiraz university