Design and Analysis of a Millimeter Wave LNA Using Pospieszalsky Noise Model on CMOS Technology
محل انتشار: بیست و یکمین کنفرانس مهندسی برق ایران
سال انتشار: 1392
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: انگلیسی
مشاهده: 1,205
فایل این مقاله در 5 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICEE21_714
تاریخ نمایه سازی: 27 مرداد 1392
چکیده مقاله:
A low noise amplifier based on cascode topology at 60GHz has been presented where Pospieszalsky noise model in CMOS technology has been introduced. The amplifier is designedon 0.13μm CMOS technology and simulated using ADS software. The simulation results shows 19 dB gain and less than 8 dB noisefigure at 60 GHz. The excellent agreement between the analytical and simulation results confirms the accuracy and efficiency of the proposed approach
کلیدواژه ها:
نویسندگان
Manizhe Zolfagharzade
Amirkabir University of Technology, Tehran, ۱۵۹۱۴, Iran