طراحی یک تقویت کننده عملیاتی با بهره ی بالا بر مبنای فیدبک مثبت در تکنولوژی 0.18 μm CMOS
سال انتشار: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 643
فایل این مقاله در 6 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICEECS02_013
تاریخ نمایه سازی: 9 مرداد 1395
چکیده مقاله:
یک قسمت مهم در طراحی مدارهای مجتمع آنالوگ طراحی و ساخت جریان ها ولتاژهای مرجع با مقادیر بخوبی تعریف شده می باشد برای اینکه این کار بر روی تراشه و به صورت مجتمع انجام می شود معمولا از مدارهای مرجعی استفاده می شود که مدارهای مرجع گاف انرژی نامیده می شود این مدارها نیاز به تقویت کننده های عملیاتی با بهره ی بالا دارند تا بتوانند تغییرات دمایی بسیار پایینی داشته باشند در این مقاله یک مدار جدید برای تقویت کننده ی عملیاتی پیشنهاد و ارائه می گردد
کلیدواژه ها:
نویسندگان
جواد ایزدی
دانشجوی کارشناسی ارشد الکترونیک دانشگاه آزاد اسلامی واحد اراک
بهروز حیدری
استاد راهنما و عضو هیات علمی دانشگاه آزاد اسلامی واحد اراک
محمد باقر توکلی
استاد مشاور و رییس گروه الکترونیک دانشگاه آزاد اسلامی واحد اراک
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :