بررسی و شبیه سازی دیودی با ساختار NIP برای کاربرد در آشکارسازی نور UV

دراین مقاله آشکارساز نور UV براساس دیودی با ساختار NIP درنظر گرفته شده است ساختار مورد نظر بصورت Ag/NIP/Al می باشد و لایه های P,I,N به این صورت تعریف شده اند که در لایه ی N از a-si:H و در لایه ی I از a-siC:H و در لایه ی P از a-siC:H استفاده شده است آزمایش را بدون حضور نور انجام داده و نمودارهای میدان الکتریکی و مشخصه I-V را بدست آورده و سپس نور تابانده و اثر نور روی آنها بررسی شده است شبیه سازی برای باندگپهای مختلف انجام شده و منحنی I-V در حالت بایاس معکوس و بایاس مستقیم بررسی گردید. نتایج آنالیز نشان داد که ساختاری که در لایه ی I از a-siC:H با باند گپ Eg=2.7eV ودر لایه P از a-siC:Hبا باند گپEg=1.95eV و د رلایه ی N از a-si:H با باند گپ Eg=1.74eV استفاده شده بهترین نتیجه را از لحاظ حساسیت عنصر به نور UV دارد.

کلیدواژه ها:

آشکارساز UV ، ساختار NIP ، مشخصه I-V ، باند گپ ، جریان