طراحی وش بیه سازی یک مخلوط کننده ی خیلی توان پائین، ولتاژ پائین با استفاده از عملکرد افزاره های ماسفت در ناحیه ِ زیر آستانه

در این مقاله یک مخلوط کننده ی خیلی توان پایین و ولتژ پایین مبتنی بر عملکرد ترانزیستورهای MOSFET در ناحیه ی زیر آستانه (subthreshold) توصیف شده است. با استفاده از مزیت های ناحیه ی کاری زیر آستانه و با وجود ولتاژ منبع تغذیه ی پایین، این مخلوط کننده می تواند به عملکرد نسبتاً مطلوبی دسترسی یابد. نتایج شبیه سازی مخلوط کننده ی مورد نظر در تکنولوژی TSMC 0.18µm CMOS نشان می -دهد که بهره ی تبدیل مخلوط کننده برابر 7/93dB ، عدد نویز باند جانبی دو طرفه (DSB NF) برابر با 13/68dB و IIP3 برابر با 4dBm - می باشند. این مدار در ولتاژ منبع تغذیه ی 0/7V کار می کند و توان مصرفی آن فقط 217w است.

کلیدواژه ها:

توان پایین ، ولتاز پایین ، زیر آستانه ، CMOS ، مخلوط کننده