طراحی و شبیه سازی ضرب کننده آنالوگ، CMOS در تکنولوژی 0.35µm و باند فرکانسی 10GHZ با استفاده از بارهای دیودی
محل انتشار: چهارمین کنفرانس مهندسی برق و الکترونیک ایران
سال انتشار: 1391
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 990
فایل این مقاله در 7 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICEEE04_292
تاریخ نمایه سازی: 6 مهر 1391
چکیده مقاله:
یک ضرب کننده آنالوگ چهار ربعی جدید در این مقاله نمایش داده شده است. ضرب کننده پیشنهادی برای عملکرد در ولتاژهای پایین با توان مصرفی پایین مناسب می باشد. مدار ضب کننده پیشنهادی با استفاده از نرم افزار Hspice با تکنولوژی 0.35µm شبیه سازی شده است. نتایج شبیه سازی شده نشان می دهد که مدار قابلیت عملکرد با ولتاژ مصرفی 1 ولت با توان مصرفی 20µw و پهنای باند 10GHZ و THD برابر 1.5% را دارد. همچنین مدار ضرب کننده پیشنهادی می تواند بعنوان دو بلر فرکانسی استفاده شود.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
محسن شاهسونی
دانشجوی ارشد دانشگاه آزاد اسلامی واحد بوشهر
مصطفی اسماعیل بیگ
عضو هیئت علمی دانشگاه آزاد اسلامی واحد بوشهر
محسن معصومی
عضو هیئت علمی دانشگاه آزاد اسلامی واحد جهرم
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :