شبیه سازی سرعت الکترون در GaAs با استفاده از روش مؤنت کارلو تک ذره ای
محل انتشار: چهارمین کنفرانس مهندسی برق و الکترونیک ایران
سال انتشار: 1391
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 897
متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICEEE04_339
تاریخ نمایه سازی: 6 مهر 1391
چکیده مقاله:
در این مقاله سرعت حرکت الکترون به ازای میدان های الکتریکی مختلف در نیمه رسانای GaAs به روش شبیه سازی مونت کارلو شبیه سازی می شود. برای شبیه سازی مسیر حرکت الکترونها، عوامل مختلف پراکندگی الکترونها مانند فونوتهای نوری و آکوسیتیکی و ناخالصی های یونیزه را در نظر می گیریم. در این مقاله از یک مدل دو دره ای و روش تک ذره ای استفاده می کنیم و میانگین سرعت الکترونها بر حسب شدت میدانهای الکتریکی مختلف را محاصبه می کنیم و با داده های معتبر مقایسه می کنیم. در این شبیه سازی توانسته ایم انتقال بین دره ای و قله سرعت الکترونها را شبیه سازی کنیم.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
مرتضی تائب جولا
دانشجوی کارشناسی ارشد، دانشگاه آزاد اسلامی واحد اراک
احسان عیدیان
دانشجوی کارشناسی ارشد دانشگاه آزاد اسلامی واحد اراک
محمد سروش
استادیار گروه الکترونیک دانشگاه شهید چمران اهواز
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :