سیستم ذخیره سازی چند متغیره با استفاده از ممریستور
محل انتشار: پنجمین کنفرانس ملی مهندسی برق و الکترونیک ایران
سال انتشار: 1392
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 491
متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICEEE05_009
تاریخ نمایه سازی: 3 آذر 1392
چکیده مقاله:
تداعی حافظه یک ساخت و سازاساسی برای ادراک یا محاسبات شبکه های مغز درسطح بالا می باشد دراین مقاله مشکل طراحی تداعی خاطرات را با استفاده ازممریستوردرمقیاس نانو درنظر میگیریم تا بحال ازممریستور تنها به عنوان محل تماس دوعصب درشبکه های عصبی بهره برداری شده است ما رویکردجدیدی را دنبال می کنیم زیرا درحال کاربرروی خصوصیات مبتنی برزمان درممریستورها درشرایط انالوگ هستیم که نتیجه آن کارامدی بیشتر و طراحی های ساده تر می باشد مدارهای ممریستور با استفاده ازngspice ارزیابی شده است بهترین مدار با استفاده ازدوورودی وسه ممریستوربرای حافظه کاملا کاربردی می باشد شرکت HP قادر به ساخت ممریستورهای کاربردی با ابعاد 3nm×3nm شده است ممریستورهایی با این تراکم به اسانی قادرند با حافظه های فلش 25nm رقابت کنند
نویسندگان
معصومه احمدیان
دانشجوی کارشناسی ارشد
علیرضا حسنی
کارشناس برق قدرت
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :