مدلسازیEMI هدایتی در مبدل سوئیچینگ نرم کلمپ اکتیو با توپولوژی پوش پول

مدارهای الکترونیک قدرت به ویژه منابع تغذیه سوئیچینگ برای سایرسیستم های الکترونیکی منبع نویز به شمار می ایند بطور معمول منابع تغذیه سوئیچینگ نرم ازالمان های بیشتری نسبت به منابع سوئیچینگ سخت برخوردار است بهدلیل افزایش المان های پارازیتی درسوئیچینگ نرم ارزیابی کاهش EMI غیرقابل پیش بینی است به همین دلیل باید EMI درمنابع سوئیچینگ نرم مورد ارزیابی قرارگیرد یکی ازتوپولوژیهای پرکاربرد درمنابع تغذیه سوئیچینگ توپولوژی پوش پول است دراین مقاله یک مبدل پوش پول کلمپ اکتیو که با روش ZVS-Turn-On به مبدل سوئیچینگ نرم تبدیل شده است با درنظرگرفتن خازن های گرما گیر درمدا رازدید تداخل الکترومغناطیسی EMI بررسی شده است همچنین برای مقایسه سطح EMI این مبدل با مبدل سوئیچینگ سخت EMI یک مبدل پوش پول سوئیچینگ سخت نیز شبیه سازی شده است مبدل سوئیچینگ سخت با توپولوژی پوش پول ازدید EMI مدل سازی شده است

کلیدواژه ها:

پوش پول ، LISN ، EMI)Electromagnetic Interference(