بررسی اتصال بدنه I-gate در ترانزیستور سیلیکون روی عایق قسمتی تهی شده
محل انتشار: پنجمین کنفرانس ملی مهندسی برق و الکترونیک ایران
سال انتشار: 1392
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,283
فایل این مقاله در 7 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICEEE05_052
تاریخ نمایه سازی: 3 آذر 1392
چکیده مقاله:
دراین مقاله برای اولین بارمدل مداری ساختارچندتایی ترانزیستورI-gate ارایه گردید پارامترهایمدل با استفاده از نتایج شبیه سازی ترانزیستور 45 نانومتر سیلیکون روی عایق تنظیم شد با استفاده ازاین مدل ولتاژ بدنه نمونه بدست امد و به ترانزیستور اعمال گردید نمودارولتاژ استانه و جریان درین رسم گردید با توجه به تغییرات زیاد این پارامتر ها مقایسه کامل ترانزیستورهای کناری و وسطی ساختارچندتایی I-gate صورت پذیرفت این مقایسه بیانگر افزایش پارامتر کاهش سدپتانسیل درین به میزان 30درصد افزایش جریان نشتی به اندازه 40برابر می باشد باتوجه به این نتایج ساختارI-gate و مقایسه آن بادیگرروشهای اتصال بدنه نیاز به بررسی پارامترهای فوق را ملزم می نماید.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
حسن رفیعی
دانشجوی کارشناسی ارشد
محمدرضا سلیمانی
دانشجوی کارشناسی ارشد
آرش دقیقی
استادیار دانشگاه شهرکرد
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :