اثر لایه های کم اثر پذیر در مشخصه های رشته AlGaInP موج بر دیودهای لیزری
محل انتشار: ششمین کنفرانس مهندسی برق و الکترونیک ایران
سال انتشار: 1393
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 663
فایل این مقاله در 7 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICEEE06_261
تاریخ نمایه سازی: 1 مهر 1394
چکیده مقاله:
ما در این مقاله اثر ساختار کم اثرپذیر بودن را در حالت توزیع بصری و مشخصه های رشته لبه موج بر در جهت خارج کردن AlGaInP–GaInP در دیودهای لیزری مرئی (LDs) را بررسی می کنیم. برای تکرارهای متعد تک لایه (Si(3)N(4 یا (SiO(2 کم اثر پذیر هستند. اختلاف جانبی در میدان نزدیک به آن متوقف می شود و در سطح افقی دور از میدان (FF) پراکنده می شود و با تغییر ضخامت لایه دی الکتریک معین می شود. لایه نازک کم اثر پذیر جذب بالایی را در رابط فلزی متحمل می شود، در حالیکه ضخامت کم اثر پذیر اتلاف گرمای ضعیفی را در رشته موج بر و پراکندگی اتلاف را متحمل می شود که نتیجه آن در حد نهایی بالا است. ما یک طرح جدید را از چندین لایه (A12O(3/Ta(2)O(5 سه جفتی در پرده های نازک بصری بشکل کم اثر پذیر در رشته موج بر را پیشنهاد می دهد که می تواند مشخصات لیزری و اتلاف گرمایی را بهبود بخشد. جریان حد نهایی (Ith) در دو اتاق سنجیده شده است و درجه حرارت مشخصه ((44.5 mA (T(0 با زاویه واگرایی 16.4 درجه می باشد.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
حاتم محمدی کامروا
عضو هیئت علمی، دانشگاه آزاد اسلامی واحد فسا، فسا، ایران
وحید دلدار
دانشجوی کارشناسی ارشد الکترونیک، دانشگاه آزاد اسلامی واحد فسا
سجاد حیدری
دانشجوی کارشناسی ارشد الکترونیک، دانشگاه آزاد اسلامی واحد فسا
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :