طراحی تقویت کننده دو طبقه با جبران سازی میلر فعال در تکنولوژی 0.18 میکرومتر با به کارگیری تکنیک DTMOS
محل انتشار: ششمین کنفرانس مهندسی برق و الکترونیک ایران
سال انتشار: 1393
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 797
متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICEEE06_296
تاریخ نمایه سازی: 1 مهر 1394
چکیده مقاله:
در این مقاله به کمک تکنیک DTMOS تقویت کننده دو طبقه ای با جبران ساز میلر فعال در تکنولوژی 0.18 میکرومتر و ولتاژ تغذیه 18 ولت طراحی شده است، که نسبت به تقویت کننده دو طبقه مشابه با جبران سازی میلر فعال در تکنولوژی 0.6 میکرومتر و ولتاژ تغذیه 3 ولت توانسته است فرکانس بهره واحد را 3.5 برابر افزایش دهد و تنها با افزایش 39 درصدی توان اتلافی، میزان ضریب شایستگی را تا 2.5 برابر بهبود ببخشد.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
سیدعلیرضا محمدزاده
دانشجوی کارشناسی ارشد مهندسی الکترونیک، موسسه آموزش عالی سجاد، مشهد، ایران
جواد حمیدزاده
عضو هیئت علمی، گروه مهندسی کامپیوتر، موسسه آموزش عالی سجاد، مشهد، ایران
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :